1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 32,7А; Idm: 180А; 3,7Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 32,7А; Idm: 180А; 3,7Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: DMTH10H025SK3-13
17,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMTH10H025SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 21,4нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,7Вт
Струм стока: 32,7А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 5,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 215Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 5,6кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 5,6кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

24,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 36,5Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F

0,92 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

2,33 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.4mm; steel; 0.8N; Plating: gold-plated
Test probe: ICT/FCT; 2A; Ø: 0.4mm; steel; 0.8N; Plating: gold-plated

1914,60 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
0,4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD