Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 250А; 52Вт; WDFN8

Немає в наявності
Код товару: NTTFS010N10MCLTAG
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTTFS010N10MCLTAG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 10,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Тип транзистора: N-MOSFET
LED; 5мм; теплий білий; 330мкд; 100°; Голівка: плоске; 2,8÷3,4ВDC
LED; 5мм; теплий білий; 330мкд; 100°; Голівка: плоске; 2,8÷3,4ВDC

14,57 грн

Голівка:
плоске
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
теплий білий
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 17,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Відрізна фреза; Ø: 115мм; Товщ.диска: 1,6мм; 22,2мм
Відрізна фреза; Ø: 115мм; Товщ.диска: 1,6мм; 22,2мм

40,55 грн

Вид рукоятки:
монтажний отвір
Використання інструментів:
бетон; камінь; пористий бетон
Відповідність стандарту:
EN 12413
Діаметр диску:
115мм
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,5÷4,4ВDC; Uвих: 1,8÷4ВDC; 3А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 0,5÷4,4ВDC; Uвих: 1,8÷4ВDC; 3А; SMD

62,09 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,8...4В DC
Вихідний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thick film; 41,2Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 41,2Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD