Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 480А; 60Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI100N10PQ-AQ
162,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI100N10PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

3,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.8mm; GKS-100; steel; 2N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.8mm; GKS-100; steel; 2N; push-in; 100mΩ

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
0,8мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 220нФ; 22,5мм; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; 220нФ; 22,5мм; Вив: радіальні

84,90 грн

Виводи:
радіальні
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Ємність:
0,22мкФ
Растр виводів:
22,5мм
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2кА; Iвих: 1А; гвинт М4; Отв: 64x54мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 2кА; Iвих: 1А; гвинт М4; Отв: 64x54мм

5057,03 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
EN 61869-1; EN 61869-2
Вхідний струм:
2кА
Клас точності:
0,5 @max 15ВА; 1 @max 25ВА
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; SMT; 3A; 250V

345,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,2мм
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А

58,29 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
14
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 50мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 50мА

347,82 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
50мА
Вхідна напруга:
13,5...16,5В DC
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В