1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,5А; Idm: 54А; 2,1Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 7,5А; Idm: 54А; 2,1Вт
Немає в наявності
Код товару: DMT10H015LCG-13
32,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMT10H015LCG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 33,3нКл
Корпус: V-DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 7,5А
Струм стоку в імпульсі: 54А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 75,8x75,7x25мм; blower; 12ВDC; 22,68м3/г; 49,4дБА
Вентилятор: DC; 75,8x75,7x25мм; blower; 12ВDC; 22,68м3/г; 49,4дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
36пФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 30мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 30мм; 1/2"

421,95 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
48мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Розмір гнізда:
HEX 30мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 63ВDC; ±20%

41,81 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210

5,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 144÷159В; 72,5А; односпрямована; Ø9,4x9,1мм
Діод: TVS; 15кВт; 144÷159В; 72,5А; односпрямована; Ø9,4x9,1мм

193,23 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
130В
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
144...159В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50ВDC; NP0; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50ВDC; NP0; ±2%; SMD; 0603

0,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
NP0
Допуск:
±2%
Ємність:
68пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт

29,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK