Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 112А; 214Вт; TO262-3

Немає в наявності
Код товару: IPI076N15N5AKSA1
238,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPI076N15N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: TO262-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 5,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 214Вт
Струм стока: 112А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
NPT1"; IP66,IP67,IP68; нержавіюча сталь; EXIOS INOX
NPT1"; IP66,IP67,IP68; нержавіюча сталь; EXIOS INOX

18122,17 грн

Вид різьблення:
дюймове
Відповідність стандарту:
II 1D Ex ta IIIC Da / Class I Div 2 Groups A,B,C,D / Class II Div 1 Groups E,F,G
Довжина гвинта:
25мм
Клас герметичності:
IP66; IP67; IP68
Недоступний
Конденсатор: паперовий; Snubber; 0,22мкФ; 20,3мм; ±20%; -40÷85°C
Конденсатор: паперовий; Snubber; 0,22мкФ; 20,3мм; ±20%; -40÷85°C

0,00 грн

Вид конденсатора:
Snubber
Допуск:
±20%
Ємність:
0,22мкФ
Растр виводів:
20,3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,2пФ
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RP; -55÷155°C
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±1%; RP; -55÷155°C

1,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

34,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; польовий; 200В; 5,7А; 75Вт

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 140А; 330Вт; TO220AB

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 120А; 230Вт; TO220AB

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
79нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 161А; 362Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 161А; 362Вт

679,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
70нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270А; 380Вт; TO220AB

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
91нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; 150Вт; TO220-3

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT