Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 187А; Idm: 900А; 158Вт

Немає в наявності
Код товару: NVBLS4D0N15MC
549,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVBLS4D0N15MC
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 90,4нКл
Корпус: H-PSOF8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 4,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 158Вт
Струм стока: 187А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 1.5A

367,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
7,3мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт

733,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; LP; 47,5x39,6x21,6мм
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; LP; 47,5x39,6x21,6мм

515,08 грн

Вторинна напруга 1:
6,3...12,6В
Зовнішні розміри:
47,5x39,6x21,6мм
Монтаж:
THT
Розмір А:
47,5мм
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC; IP40
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC; IP40

3083,51 грн

Вид вимикача:
тип A
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008-1
Диференціальний струм:
0,3А
Електрична стійкість:
10000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Комутатор мережа-генератор; Полюси: 4; гвинтовий; 160А; 690ВAC
Комутатор мережа-генератор; Полюси: 4; гвинтовий; 160А; 690ВAC

19891,05 грн

Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-3; IEC EN 60947-6-1
Кількість полюсів:
4
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252