Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 915мА; Idm: 1,3А; 300мВт; SC89

Немає в наявності
Код товару: NVE4153NT1G
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVE4153NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,82нКл
Корпус: SC89
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,23Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,915А
Струм стоку в імпульсі: 1,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ключ: комбінований; двосторонній; 19мм; L: 215мм; не іскрить
Ключ: комбінований; двосторонній; 19мм; L: 215мм; не іскрить

3607,46 грн

Вид ключа:
двосторонній
Властивості інструментів:
ковані
Довжина:
215мм
Матеріал:
алюмінієва бронза
Недоступний
Кінцевий датчик; NC + NO; 10А; PG13,5; IP65; К-ть монт.отв: 2; 22мм
Кінцевий датчик; NC + NO; 10А; PG13,5; IP65; К-ть монт.отв: 2; 22мм

1367,84 грн

Вид головки:
кутовий важіль з роликом; пластиковий ролик Ø12,5мм
Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 270кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; DIP; THT; 12,7x10,16x8,2мм
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; DIP; THT; 12,7x10,16x8,2мм

633,55 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,2А
Захист:
від короткого замикання SCP
Зовнішні розміри:
12,7x10,16x8,2мм
Недоступний
IC: джерело еталонної напруги; 4,096В; ±0,2%; SOT23; 15мА
IC: джерело еталонної напруги; 4,096В; ±0,2%; SOT23; 15мА

112,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±0,2%
Кількість в наборі/упаковці:
250шт.
Корпус:
SOT23
Недоступний
Fuse: fuse with holder; 5x20mm; glass; SMD; 500mA; Imax: 16A; 500VAC
Fuse: fuse with holder; 5x20mm; glass; SMD; 500mA; Imax: 16A; 500VAC

65,89 грн

Виводи:
паяльні пункти
Вид запобіжника:
скляний
Використання аксесуари для запобіжників:
циліндричні запобіжники
Властивості запобіжників:
with fuseholder
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 30; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 30; SMT; 3A; 150V

734,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина відводів:
4мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; 1,3Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD