1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт
Немає в наявності
Код товару: FQT4N25TF
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQT4N25TF
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,6нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 1,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 0,66А
Струм стоку в імпульсі: 3,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 187Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 187Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,91Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
1,91Ом
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 15м; вилка; Жили: 4
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 15м; вилка; Жили: 4

2495,57 грн

Довжина кабелю:
15м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
сірий
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
3кОм
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK