Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 5,1А; Idm: 32А; 74Вт
Brand: VISHAY
SKU: IRF634STRRPBF
Price: 44.35 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 5,1А; Idm: 32А; 74Вт

Немає в наявності

Код товару: IRF634STRRPBF

44,35 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

IRF634STRRPBF

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

41нКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

250В

Опір в стані провідності:

0,45Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

74Вт

Струм стока:

5,1А

Струм стоку в імпульсі:

32А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Бажані

Перемикач: антивандальний; IP67; ON-(OFF); Підсв: LED; сталь

1463,51 грн

Виводи:
до лютування

Електрична стійкість:
50000 цикли

Клас герметичності:
IP67

Колір корпусу:
срібний

Бажані

Connector: PCB to PCB; socket; data; PIN: 1; EXTREME; vertical; 600V

647,49 грн

Connector family:
data

Електричний монтаж:
THT

Кількість пін:
1

Клас горючості:
UL94V-0

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 0Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Опір:
0Ом

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 3A; 250V

114,04 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
туба

Висота:
11,6мм

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ

Технологія:
SiC

Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,4нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
32,8нКл

Монтаж:
SMD