Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 200мВт; SOT523; ESD

Немає в наявності
Код товару: WM03N01L
17,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM03N01L
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT523
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм стока: 0,1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

0,00 грн

Alias:
C1206C103K2RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 5мм

3,86 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Недоступний
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm
Кристал; 27МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 10пФ; Стаб.част: ±10ppm

15,27 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
10пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,3А; Idm: 120А; 94,9Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
39,2нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK