Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3

Немає в наявності
Код товару: RQ5E040TNTL
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RQ5E040TNTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,9нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 66мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Driver; перетворювач DC/DC,контролер LED; 1А; U-DFN3030-6; SMD
Driver; перетворювач DC/DC,контролер LED; 1А; U-DFN3030-6; SMD

28,51 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
1А
Властивості інтегральних мікросхем:
PWM; лінійне затемнення
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; ERJ8GEY
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; ERJ8GEY

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V

72,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V

514,45 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 100V

138,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В

0,00 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
DTR; QPI; SPI
Корпус:
TFBGA24
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6