Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 70А; Idm: 420А; 35Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI110N03PQ-AQ
30,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: DI110N03PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 163нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 420А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 361Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 361Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 250кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 250кОм; однообертовий; горизонтальний

60,82 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Допуск:
±20%
Кут обертання механічний:
240°
Матеріал доріжки:
металокерамічний
Недоступний
Резистор: thick film; 1,07Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,07Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 3,75кВ; CTR@If: 19-50%@16mA
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 3,75кВ; CTR@If: 19-50%@16mA

113,41 грн

CTR@If:
19-50%@16mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; QFN28; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; QFN28; PIC18; туба

129,24 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG x3; DMAC x2; PoR; PPS; watchdog; XLP; zero cross detect
Інтерфейс:
I2C x2; LIN; RS232; RS485; SPI; UART x2
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В; -55÷155°C

2,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Введення; Øмонт.отв: 15,88мм; Øотв: 9,52мм; гума; чорний
Введення; Øмонт.отв: 15,88мм; Øотв: 9,52мм; гума; чорний

31,99 грн

Діаметр монтажного отвору:
15,88мм
Діаметр отвору:
9,52мм
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
гума
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8