Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 150Вт; TO263; 34нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA100N04T2
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTA100N04T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 100А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 34нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 100V

153,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 800В; If: 40А; Ifsm: 370А; THT
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 800В; If: 40А; Ifsm: 370А; THT

1014,95 грн

Виводи:
пласкі шпильки
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
GUFP
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J

1,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

1,97 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

651,93 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 180кОм; 1,6x0,8x0,45мм
Резистор: thick film; 180кОм; 1,6x0,8x0,45мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Зовнішні розміри:
1,6x0,8x0,45мм
Опір:
180кОм
Розміри корпусу:
1,6x0,8x0,45мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223

46,25 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс

212,87 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DFN2020-6