Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTY1R6N50D2
212,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY1R6N50D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 23,7нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 2,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 1,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 400нс
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; гніздовий; вилка; 4А; HDC; PUR; 0,3м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; гніздовий; вилка; 4А; HDC; PUR; 0,3м

4849,22 грн

Довжина проводу:
0,3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm

606,94 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
90
Клас горючості:
UL94V-0
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1

651,93 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид модуля:
DAC; перетворювач D/A
Вихідна напруга:
0...5В DC; 0...10В DC
Інтегральна схема:
GP8211S
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

1,79 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт

162,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
125нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 76А; Idm: 260А; 51Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD