Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 102А; Idm: 554А; 34Вт; LFPAK56

Немає в наявності
Код товару: NTMYS3D5N04CTWG
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NTMYS3D5N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: LFPAK56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 102А
Струм стоку в імпульсі: 554А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 500Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 500Вт

4581,23 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
42А
Діапазон вихідної напруги:
10,8...14В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 9,1Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
9,1Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В
Оптрон; SMD; Ch: 2; OUT: totem pole; Uізол: 3,75кВ; SOIC8; Urmax: 5В

0,00 грн

Вид виходу:
totem pole
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; R76; 270нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; R76; 270нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT

195,77 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK