Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 94Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 94Вт
Brand: PanJit Semiconductor
SKU: PJQ5544V-AU_R2_002A1
Price: 88.70 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PJQ5544V-AU_R2_002A1

88,70 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Виробник:

PanJit Semiconductor

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

34нКл

Корпус:

DFN5060-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

4,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

94Вт

Струм стока:

120А

Струм стоку в імпульсі:

480А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
33нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,7нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD