Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 160А; Idm: 640А; 83,3Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI160N04PQ-AQ
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI160N04PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83,3Вт
Струм стока: 160А
Струм стоку в імпульсі: 640А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 3,2x1,6x0,55мм
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 3,2x1,6x0,55мм

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В; -55÷155°C

5,70 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Запобіжник: плавка; 6,85x32,4мм; скляний; 10А; 250ВAC; FSA; мідь
Запобіжник: плавка; 6,85x32,4мм; скляний; 10А; 250ВAC; FSA; мідь

87,43 грн

Вид запобіжника:
скляний
Вид упаковки:
коробка
Енергія I2t:
370,2А2с
Матеріал контакту:
мідь
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0201; 50мВт; ±1%; RC; 0,6x0,3x0,23мм
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0201; 50мВт; ±1%; RC; 0,6x0,3x0,23мм

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
22,6Ом
Недоступний
Контактор: 3-полюсний реверсивний; NO x3; 230ВAC; 9А; BFA; 50/60Гц
Контактор: 3-полюсний реверсивний; NO x3; 230ВAC; 9А; BFA; 50/60Гц

5818,56 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Допоміжні інтегровані контакти:
NC x2
Конфігурація контактів:
NO x3
Монтаж:
на панель; на шину DIN
Недоступний
Резистор: metal film; 887Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 887Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,24МОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,24МОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл