Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 310А; Idm: 900А; 166Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFSC0D9N04C
363,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFSC0D9N04C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 870мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 166Вт
Струм стока: 310А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 625ВAC; 825ВDC; 1кВ; 2500А; Ø: 12мм
Варистор: металооксидний; THT; 625ВAC; 825ВDC; 1кВ; 2500А; Ø: 12мм

14,83 грн

Висота:
7,5мм
Діаметр:
12мм
Енергія 2 мс:
68Дж
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 221Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 221Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 237кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 237кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 61,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 61,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: XLR; гніздо; штекерний; аудіо відео; PIN: 3; прямий; паяння
Роз’єм: XLR; гніздо; штекерний; аудіо відео; PIN: 3; прямий; паяння

295,24 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; роз'єм живлення

477,07 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
CSA; UL; VDE
Довжина:
16,2мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; 7,3x6,6x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; ±20%; 7,3x6,6x1,8мм

16,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x1,8мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD