Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 330А; Idm: 900А; 83Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C410NLAFT1G
236,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C410NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 143нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 820мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 330А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; 7,8мм; червоний/зелений; 30°; Голівка: опукла; 3÷15ВDC
LED; 7,8мм; червоний/зелений; 30°; Голівка: опукла; 3÷15ВDC

76,03 грн

Властивості діодів LED:
вбудований резистор, що обмежує струм
Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
7,8мм
Довжина хвилі λd:
520...530нм; 620...630нм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

221,11 грн

Alias:
SLD 3.50V/12/90G 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
25,2мм
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ammo Pack

21,54 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Ємність:
15пФ
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
DO41; DO204AL
Гніздовий; PIN: 10; паяння,THT; Iном: 3А; вертикальне,прямий
Гніздовий; PIN: 10; паяння,THT; Iном: 3А; вертикальне,прямий

146,98 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина відводів:
3,302мм
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
10
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

658,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD