Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 340А; 480Вт; TO263; 43нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA340N04T4
253,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA340N04T4
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 256нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 480Вт
Струм стока: 340А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 43нс
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C

15,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Монтаж:
SMD
Опір:
470Ом
Потужність:
0,4Вт
Резистор: вуглецевий; 100Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 100Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

1,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 4,12кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 4,12кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 732Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 732Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

8,68 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

30,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 27А; 71Вт; SMA

363,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 217Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 174А; Idm: 984А; 375Вт; D2PAK

257,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
407нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА

35,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,8нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 14,5мА; 0,2Вт; SOT23; Igt: 10мА

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В