1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 378А; Idm: 900А; 100Вт; DFNW5

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 378А; Idm: 900А; 100Вт; DFNW5
Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C404NWFAFT1G
301,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C404NWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 128нКл
Корпус: DFNW5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 378А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 5,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Tap: inch; UNS 1/4"; right hand thread; 36; L: 56mm; initial; 6mm
Tap: inch; UNS 1/4"; right hand thread; 36; L: 56mm; initial; 6mm

290,80 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 43мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 300ppm/°C
Резистор: thick film; 43мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 300ppm/°C

3,21 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 634кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 634кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 294Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 294Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; TO252AA

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
10,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

138,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD