1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт
Немає в наявності
Код товару: LND250K1-G
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LND250K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1кОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Струм стока: 13мА
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 24пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 180мм

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; CMOS; 0,7÷6ВDC; SOT23; Ch: 1
IC: супервізор; детектор напруги; CMOS; 0,7÷6ВDC; SOT23; Ch: 1

41,81 грн

Вид виходу RESET:
CMOS
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOT23
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED

3,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 20В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 20В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2197,16 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
20В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 2кБSRAM,16кБFLASH; QFN16; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 2кБSRAM,16кБFLASH; QFN16; 1,71÷3,6ВDC

65,26 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; PWM; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
14
Корпус:
QFN16
Недоступний
Вимикач максимального струму; 15А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P
Вимикач максимального струму; 15А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P

1713,76 грн

Виводи:
конектори
Кількість полюсів:
1
Колір кнопки:
білий
Монтаж:
snap-in
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8