Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 27А; Idm: 108А; 300Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT5018SLLG
705,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5018SLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 108А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 1,25А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 1,25А

1372,28 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 168МГц; LQFP176; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 168МГц; LQFP176; 1,8÷3,6ВDC

925,62 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; LCD controller; PoR; PWM
Інтерфейс:
CAN; DCMI; EBI; EMI; Ethernet; I2C; IrDA; LIN; SPI; USART; USB OTG
Кількість входів/виходів:
140
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 220нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,67 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 4,87кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 4,87кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Роз’єм: M17; вилка; Розмір: 2мм; EPIC® M17 POWER; штекерний; PIN: 4
Роз’єм: M17; вилка; Розмір: 2мм; EPIC® M17 POWER; штекерний; PIN: 4

1528,77 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
3,5...11мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0603

2,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
15нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD