1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,6А; Idm: 44А; 60Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,6А; Idm: 44А; 60Вт; TO220FP
Немає в наявності
Код товару: IRFIB7N50APBF
190,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFIB7N50APBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,52Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 6,6А
Струм стоку в імпульсі: 44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 30мм; Фікс.поз: 1; білий; IP66,IP67,IP69K
Перемикач: кнопковий; 30мм; Фікс.поз: 1; білий; IP66,IP67,IP69K

743,16 грн

Властивості перемикачів:
з символом
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66; IP67; IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; X8G; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; X8G; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В
Резистор: thick film; 6,8МОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Датчик: фотоелектричний; кутовий; Дальність: 0,3м; PNP; 100мА; ABS
Датчик: фотоелектричний; кутовий; Дальність: 0,3м; PNP; 100мА; ABS

4661,69 грн

Вид датчика:
кутовий
Дальність:
0,3м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 470мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 470мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD