1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFQ94N30P3
748,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFQ94N30P3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 102нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,04кВт
Струм стока: 94А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,12мкФ; 450ВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,12мкФ; 450ВDC; THT; ±5%

9,63 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,12мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 470мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 470мкФ; 63ВDC; ±20%

135,58 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
35,5мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"

631,02 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
80мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга; тонкостінна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 240Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 240Вт

5740,63 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
5А
Діапазон вихідної напруги:
45,6...50,4В DC
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 0,8А; 60Вт; TO220AB; 11нс

171,06 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
312нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO3P; 300нс

337,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
65нКл
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А
Транзистор: N-MOSFET; HiPerDynFRED; польовий; 600В; 32А

494,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
super junction coolmos
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 600В; 34А; Idm: 68А; 540Вт

390,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class