Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG21N60EF-GE3
270,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG21N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 84нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 176мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 14А
Струм стоку в імпульсі: 53А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; CQ; 75В

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Насадка: SPLINE-bit; XZN M12; 1/2"; 55мм; хром-ванадієва сталь
Насадка: SPLINE-bit; XZN M12; 1/2"; 55мм; хром-ванадієва сталь

183,10 грн

Довжина насадки:
55мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Розмір грота:
XZN M12
Резистор: thick film; 1,54кОм; 0603; 100мВт; ±1%; RE; 1,6x0,8мм
Резистор: thick film; 1,54кОм; 0603; 100мВт; ±1%; RE; 1,6x0,8мм

0,33 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Опір:
1,54кОм
Потужність:
0,1Вт
Вимикач максимального струму; 3А; Полюси: 1; на шину DIN; mcb489
Вимикач максимального струму; 3А; Полюси: 1; на шину DIN; mcb489

748,86 грн

Кількість полюсів:
1
Монтаж:
на шину DIN
Номінальний струм:
3А
Робоча температура:
-35...70°C
Недоступний
Резистор: thin film; 243кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 243кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 3A/250ВAC; 3A/30ВDC; ON-(ON)
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 3A/250ВAC; 3A/30ВDC; ON-(ON)

589,84 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Вид матеріалу:
зміцнений скловолокном
Відповідність стандарту:
UL
Електрична стійкість:
50000 цикли
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500Вт; Uвх: 32÷96ВDC; Uвих: 11,7ВDC; гвинтовий
Перетворювач: DC/DC; 500Вт; Uвх: 32÷96ВDC; Uвих: 11,7ВDC; гвинтовий

16874,70 грн

Вихідна напруга:
11,7В DC
Вихідний струм:
42,5А
Вхідна напруга:
32...96В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

488,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 6А; Idm: 24А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 40А; Idm: 160А; 51Вт

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 26А; Idm: 36А; 460Вт; TO220AB

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8А; Idm: 52А; 48Вт; TO220FP

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220FP