Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 38А; Idm: 210А; 1,04кВт; TO264

Немає в наявності
Код товару: APT56F60L
909,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT56F60L
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 280нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,04кВт
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 210А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: штировий; планка штирова; штекерний; PIN: 8; паяння; 350
Роз’єм: штировий; планка штирова; штекерний; PIN: 8; паяння; 350

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,743мм
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Недоступний
Розгалуджуюча коробка; M12; PIN: 5; 10м; гніздо; 24ВDC; 12А; PUR
Розгалуджуюча коробка; M12; PIN: 5; 10м; гніздо; 24ВDC; 12А; PUR

7696,41 грн

Довжина кабелю:
10м
Застосування проводів:
ланцюгова передача
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Індикація:
LED
Недоступний
Резистор: thick film; 80мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 80мОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

4,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: metal oxide; 620мОм; THT; 1Вт; ±5%; осьові; L: 9мм; Ø: 3мм
Резистор: metal oxide; 620мОм; THT; 1Вт; ±5%; осьові; L: 9мм; Ø: 3мм

2,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

609,48 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
19,8мм
Довжина:
40,5мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
PG48; IP67; поліамід 6; сірий; для проводу; vg; прямий,Standard
PG48; IP67; поліамід 6; сірий; для проводу; vg; прямий,Standard

275,60 грн

Type of cable gland:
cable
Довжина гвинта:
14мм
Зовнішній діаметр проводу:
34...44мм
Зовнішні розміри:
67,5x53,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 1МОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD