Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 68А; Idm: 318А; 833Вт

Немає в наявності
Код товару: APT106N60B2C6
1147,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT106N60B2C6
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 308нКл
Корпус: TO247MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 833Вт
Струм стока: 68А
Струм стоку в імпульсі: 318А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 0,68мкФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 0,68мкФ; 450ВDC; THT; ±10%

11,40 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,22 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 200В; 30А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 200В; 30А; ролик,cтрічка

94,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 4,75Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 4,75Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 11; 12бит; 66кsps; 3÷3,6В; SSOP20
IC: перетворювач А/D; Ch: 11; 12бит; 66кsps; 3÷3,6В; SSOP20

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603

5,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

261,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт

243,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
GC (TO247AD); TO247AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А

454,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
183нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

166,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247PLUS
Монтаж:
THT