Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 33А; Idm: 226А; 18Вт; DFNW5

Немає в наявності
Код товару: NVMFWS016N06CT1G
69,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFWS016N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,9нКл
Корпус: DFNW5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 15,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18Вт
Струм стока: 33А
Струм стоку в імпульсі: 226А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 320кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 320кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 6; штекерний; промислова; SR30; прямий
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 6; штекерний; промислова; SR30; прямий

537,25 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
CL0103-0319-0-32
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Резистор: thin film; 36Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 36Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: metal film; 63,4кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; осьові
Резистор: metal film; 63,4кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; осьові

0,39 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; мідь; 26AWG÷23AWG
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; мідь; 26AWG÷23AWG

17,36 грн

Версія наконечника:
неізольований
Електричний монтаж:
IDC
Матеріал контакту:
мідь
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 7,5Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

2,33 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD