Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; Idm: 185А; 12Вт; LFPAK56

Немає в наявності
Код товару: NVMYS014N06CLTWG
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMYS014N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,7нКл
Корпус: LFPAK56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 185А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 69,8Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 69,8Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 31; angled; 1A; 100V
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 31; angled; 1A; 100V

57,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
31
Матеріал корпусу:
LCP
Резистор: thick film; 232кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 232кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА

300,30 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1206

25,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл