Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHFR014TR-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFR014TR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 4,9А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 30; прямий; SMT; 1мм
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 30; прямий; SMT; 1мм

113,41 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
30
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм

152,05 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина відводів:
0,15м
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM

669,03 грн

Вид архітектури:
ARM926
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
CAN x2; DBGU; Ethernet; FLEXCOM x11; MCI x2; SSC; USB x3
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 27кОм; SMD; 400мВт; 3,5x1,4мм; -55÷155°C

15,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
27кОм
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 800мА; 500мВт; TO18
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 800мА; 500мВт; TO18

446,66 грн

Корпус:
TO18
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
50В
Поляризація:
біполярний
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В,9÷30В; RS232,RS485,USB,WIEGAND; антена
Зчитувач RFID; 4,3÷5,5В,9÷30В; RS232,RS485,USB,WIEGAND; антена

15831,24 грн

Версія Bluetooth:
BLE
Властивості модулів зв'язку:
антена
Дальність:
0,1м
Інтерфейс:
RS232; RS485; USB; WIEGAND
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В