Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 44А; 110Вт; TO263AB

Немає в наявності
Код товару: HUF76429S3ST
59,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: HUF76429S3ST
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 33мкФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 33мкФ; 50ВDC; ±20%

9,06 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
11,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 5,11кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 5,11кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 365кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 365кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 3,32кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 3,32кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 20імп./об; Поз: 20; 5ВDC; 1мА; L: 8мм
Енкодер: інкрементальний; THT; 20імп./об; Поз: 20; 5ВDC; 1мА; L: 8мм

99,47 грн

Вихідний сигнал:
два сигнали А і B
Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
8мм
Кількість всіх позицій:
20
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V

197,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,4мм
Недоступний
Датчик: температури; Pt100; кл.B; G3/4 A; Електр.під'єдн: PG16
Датчик: температури; Pt100; кл.B; G3/4 A; Електр.під'єдн: PG16

20401,70 грн

Вид датчика температури:
Pt100
Властивості датчиків:
вбудований перетворювач температури 4...20мA
Глибина монтажу:
250мм
Діапазон вимірювання температури:
-50...200°C
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 3,5А; Idm: 14А; 2,5Вт; SOT23

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 79А; Idm: 500А; 89,2Вт

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
73,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; Idm: 148А; 75Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 58А; Idm: 232А; 48Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
PDFN5060-8