Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 90А; Idm: 360А; 118Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB072N12LG2-S
58,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB072N12LG2-S
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 52,5нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 118Вт
Струм стока: 90А
Струм стоку в імпульсі: 360А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%

1,33 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Адаптер; SMA "папа",SMA "мама"; PTFE; 50Ом; нержавіюча сталь
Адаптер; SMA "папа",SMA "мама"; PTFE; 50Ом; нержавіюча сталь

4213,77 грн

Конструкція кабелю/переходу:
SMA "мама"; SMA "папа"
Матеріал ізоляції:
PTFE
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Модель роз’єму:
ізольований
Недоступний
Резистор: thin film; 910Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 910Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 420нГн; 370мА; R: 0,62Ом; ±10%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 420нГн; 370мА; R: 0,62Ом; ±10%; LQW

5,83 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
420нГн
Корпус - дюйм:
0402
IC: цифровий; RS засувка; Ch: 4; CMOS; SMD; SO16; CD4000
IC: цифровий; RS засувка; Ch: 4; CMOS; SMD; SO16; CD4000

25,98 грн

Вид об'єднаної схеми:
RS засувка
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO16
Монтаж:
SMD
Connector: D-Sub; PIN: 15; female; data transfer; straight; crimped
Connector: D-Sub; PIN: 15; female; data transfer; straight; crimped

15674,12 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
15
Контейнер; 20700,21700; К-сть бат: 2; PCB,THM; для друку
Контейнер; 20700,21700; К-сть бат: 2; PCB,THM; для друку

601,24 грн

Виводи:
для друку
Кількість батарей:
2
Монтаж:
PCB; THM
Розмір осередку:
20700; 21700
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6