Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 71А; Idm: 440А; 31Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C670NLAFT1G
127,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C670NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 6,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 71А
Струм стоку в імпульсі: 440А
Тип транзистора: N-MOSFET
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷10мм; 10÷30ВDC; M30; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷10мм; 10÷30ВDC; M30; 2м; IP67

1889,89 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...10мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
77мм
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 110кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Провід: стрічковий; 1,27мм; тросик; Cu; неекранований; ПВХ; сірий
Провід: стрічковий; 1,27мм; тросик; Cu; неекранований; ПВХ; сірий

2424,61 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I A/B FT1; UL 2651; VW-1
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 1250мА
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 1250мА

3127,85 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
1,25А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; падіння напруги BOP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
270пФ
Недоступний
Діод: TVS збірка; 40В; 0,3кВт; спільний катод; ESD; SO8; Ch: 4
Діод: TVS збірка; 40В; 0,3кВт; спільний катод; ESD; SO8; Ch: 4

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
25пФ
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO263