Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; Idm: 85А; 2,1Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: DMT6011LSS-13
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: DMT6011LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 22,2нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 14,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 8,5А
Струм стоку в імпульсі: 85А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805

11,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0805
Конденсатор: керамічний; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0805

0,36 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
18пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 22,3кsps; 2,7÷5,5В; SOT23
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 22,3кsps; 2,7÷5,5В; SOT23

80,46 грн

Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 3А; 25нс; SOD128; Ufmax: 0,95В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 3А; 25нс; SOD128; Ufmax: 0,95В

32,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 250V

69,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 7,5мкФ; 800ВDC; C4AQ; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 7,5мкФ; 800ВDC; C4AQ; ±5%

98,83 грн

Вид конденсатора:
DC-Link
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Ємність:
7,5мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,3А; SOT23

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 41Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; 41Вт; PQFN8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 3,1А; 2,5Вт; SO8

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт

693,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
60нКл