Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А; 32,9Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI081N06PQ
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI081N06PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 32,9Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 150нФ; 305ВAC; 18x12,5x7мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 150нФ; 305ВAC; 18x12,5x7мм; THT

45,30 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; angled; 1x28
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; angled; 1x28

46,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 40,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 108; THT; angled
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 108; THT; angled

89,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: metal film; 51кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 51кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

1,13 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 6,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 6,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 620Ом; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF; 100ppm/°C

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK