1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO220-3
Немає в наявності
Код товару: IPP65R310CFDXKSA1
108,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP65R310CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,31Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104,2Вт
Струм стока: 11,4А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

91,87 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Конденсатор: керамічний; 3нФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 3нФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 0603

1,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Ємність:
3нФ
Недоступний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 65А; TO240AA; Ufmax: 1,17В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 65А; TO240AA; Ufmax: 1,17В

1358,97 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 9x22AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 9x22AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu

102348,07 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
Connector: wire-board; male; data; Minitek; 200V; PIN: 26; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Minitek; 200V; PIN: 26; shrouded

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

325,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; польовий; 600В; 48А; Idm: 295А

1179,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220-3