Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251

Немає в наявності
Код товару: SIHU6N65E-GE3
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHU6N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 15мГн; 80мА; R: 31Ом; ±10%; 1300R; Ø: 9,5мм
Реактор: дротяний; THT; 15мГн; 80мА; R: 31Ом; ±10%; 1300R; Ø: 9,5мм

26,29 грн

Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
15мГн
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; високої потужності; SMD; 2010; 2Вт
Резистор: thick film; 10кОм; високої потужності; SMD; 2010; 2Вт

4,88 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Patch cord; S/FTP; Cat 8.1; RJ45 вилка,з обох сторін; 1,5м; Cu
Patch cord; S/FTP; Cat 8.1; RJ45 вилка,з обох сторін; 1,5м; Cu

176,76 грн

Будова екрану:
обплетення з алюмінієвих дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 3A; 100V

156,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 500В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 500В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0805

5,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,9пФ
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

256,59 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
26мм
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD