1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB
Немає в наявності
Код товару: SIHP12N65E-GE3
160,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP12N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 3кВ; ±10%; THT; 7,5мм; Ø: 5,5мм
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 3кВ; ±10%; THT; 7,5мм; Ø: 5,5мм

4,88 грн

Висота:
6мм
Діаметр:
5,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 25ВDC; U2J; ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 25ВDC; U2J; ±5%; SMD; 0402

2,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
2,2нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 9,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

15,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 40мГн; 600мА; R: 1,3Ом; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 40мГн; 600мА; R: 1,3Ом; 250ВAC; -25÷120°C

52,58 грн

Вид дроселя:
з компенсацією
Індуктивність:
40мГн
Монтаж:
THT
Опір:
1,3Ом
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; 14мм; 1/2"; коротка
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; 14мм; 1/2"; коротка

243,92 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
38мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
коротка
Недоступний
Резистор: thin film; 45,3Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 45,3Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

3,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Радіатор: штампований; L: 600мм; W: 40мм; H: 40мм; алюміній
Радіатор: штампований; L: 600мм; W: 40мм; H: 40мм; алюміній

4269,52 грн

Висота:
40мм
Довжина:
0,6м
Матеріал:
алюміній
Оздоблення матеріалу:
прозорий анодований
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD