Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB12N65E-GE3
186,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB12N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPST-NC; 8А; 8A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; DPST-NC; 8А; 8A/250ВAC

89,33 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPST-NC
Макс. напруга котушки:
72В DC
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 4мкФ; 700ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 4мкФ; 700ВDC; THT; ±10%

65,26 грн

Висота:
29,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
4мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 0,6м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; ПВХ

655,09 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 190А; TO277A
Діод: випрямний; THT; 100В; 3А; Ifsm: 190А; TO277A

54,49 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO277A
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD