Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 30Вт; TO220FP; 186нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP4N70X2M
98,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTP4N70X2M
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 186нс
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 25ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

91,87 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Конденсатор: керамічний; 3нФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 3нФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 0603

1,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Ємність:
3нФ
Недоступний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 65А; TO240AA; Ufmax: 1,17В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 65А; TO240AA; Ufmax: 1,17В

1358,97 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 9x22AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 9x22AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu

102348,07 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
Connector: wire-board; male; data; Minitek; 200V; PIN: 26; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Minitek; 200V; PIN: 26; shrouded

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
26
Недоступний
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 9,7А; 150Вт; TO247AC

161,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 49А; 83Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 49А; 83Вт; TO220AB

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; TO220-3

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3; ESD

182,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 23,4А; 37Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 23,4А; 37Вт; TO220FP

143,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
TO220FP