Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP11NK50Z
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP11NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,52Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 6,3А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,5В

4,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 32А; Uном: 1000В; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 32А; Uном: 1000В; Дл: 0,25м

715,92 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 1000V; CAT III 600V; EN 61010
Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
зелений
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; прямий; код A
Роз’єм: M12; вилка; штекерний; промислова; M12 ALTW; прямий; код A

743,79 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
2м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Долото; L: 600мм; SDS-MAX; Шир.након: 25мм; Ø: 18мм
Долото; L: 600мм; SDS-MAX; Шир.након: 25мм; Ø: 18мм

345,92 грн

Вид рукоятки:
SDS-MAX
Використання інструментів:
бетон; електроінструменти
Діаметр стержня:
18мм
Довжина:
0,6м
Недоступний
Резистор: thick film; 34Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 34Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Датчик: відстані; відбивний; 2,9÷5,5ВDC; аналоговий; Ch: 1; 5x20мм
Датчик: відстані; відбивний; 2,9÷5,5ВDC; аналоговий; Ch: 1; 5x20мм

212,87 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид датчика:
відбивний
Інтерфейс:
аналоговий
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247