Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP11NK50Z
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP11NK50Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,52Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 6,3А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; OUT: 1

1189,18 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Роз’єм: круглі; гніздо; штекерний; промислова; 400В; IP67,IP68
Роз’єм: круглі; гніздо; штекерний; промислова; 400В; IP67,IP68

1765,08 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
CL0141-0017-7-00
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; WR06; 75В; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; WR06; 75В; 200ppm/°C

0,07 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 3кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
3кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 29,4кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB
Резистор: thin film; 29,4кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3