Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 400А; 1000Вт; TO268; 77нс

Немає в наявності
Код товару: IXFT400N075T2
944,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFT400N075T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 420нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 2,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1кВт
Струм стока: 400А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 77нс
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,SSP; 4÷5,5ВDC; THT
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,SSP; 4÷5,5ВDC; THT

239,48 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
watchdog
Генератор вбудований:
8МГц
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 1,9А; R: 0,048Ом
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; 1,9А; R: 0,048Ом

8,74 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
4,7мкГн
Корпус - мм:
0504
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 12В; SMD; DO213AA; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 12В; SMD; DO213AA; 50нА

1168,27 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
12В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Tap: inch; UNC 1 3/8"; right hand thread; 6; L: 150mm; finishing
Tap: inch; UNC 1 3/8"; right hand thread; 6; L: 150mm; finishing

4365,19 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0603

4,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,6пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 10кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

5765,34 грн

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
Y4-M5
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений
20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
U-DFN2030-6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD