1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO220AB
Немає в наявності
Код товару: SIHP21N80AE-GE3
176,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP21N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 72нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,235Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 38А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 7,22÷7,98В; 267,9А; односпрямована; SMC; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 7,22÷7,98В; 267,9А; односпрямована; SMC; SMDJ

17,23 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6,5В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Резистор: вуглецевий; 120Ом; THT; 0,5Вт; ±5%; 350В; Ш0,6x26мм; L: 9мм
Резистор: вуглецевий; 120Ом; THT; 0,5Вт; ±5%; 350В; Ш0,6x26мм; L: 9мм

0,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,2мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 8А; 160В
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 8А; 160В

39,91 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
CSA; UL; VDE
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: metal film; 422мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 422мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,52 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 237мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 237мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

1,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 56,7÷62,7В; 36,4А; односпрямована; SMC; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 56,7÷62,7В; 36,4А; односпрямована; SMC; SMDJ

23,19 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
SMC
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 0402; 130мВт; ±1%; PE; -55÷125°C
Резистор: thick film; 150мОм; SMD; 0402; 130мВт; ±1%; PE; -55÷125°C

4,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1559,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл