Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHU6N80AE-GE3
102,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHU6N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 22,5нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,95Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 3,2А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 1600мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 1600мА

911,05 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
1,6А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
21,8x9,2x11,1мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±2%; SG73S; 150В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±2%; SG73S; 150В

0,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 1.5A

532,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Із заземленням; 1,5; IP68; латунь; HELUTOP® MS-EP
Із заземленням; 1,5; IP68; латунь; HELUTOP® MS-EP

772,30 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
із заземленням
Вживання кабельних аксесуарів:
для екранованих проводів
Вид різьблення:
метрична
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,43Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,43Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,43Ом
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл