Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,4А; Idm: 15А; 78Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHD6N80E-GE3
118,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHD6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 940мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 3,4А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 102Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 102Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Ключ: комбінований; тріскачка; 7мм; L: 136мм
Ключ: комбінований; тріскачка; 7мм; L: 136мм

680,44 грн

Вид ключа:
тріскачка
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°
Довжина:
136мм
Розмір ключа:
7мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 360пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 360пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Конденсатор: керамічний; 0,12мкФ; 25ВDC; U2J; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 0,12мкФ; 25ВDC; U2J; ±10%; SMD; 1206

13,43 грн

Діелектрик:
U2J
Допуск:
±10%
Ємність:
0,12мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 350мА; Idm: 0,8А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 350мА; Idm: 0,8А; 320мВт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
0,35нКл
Корпус:
SOT523
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 84; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 84; THT; straight

150,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Sandals; Size: 43; grey-black; chamois; slip; Safety cat: S1 FO SR
Sandals; Size: 43; grey-black; chamois; slip; Safety cat: S1 FO SR

1163,84 грн

Відповідність стандарту:
CE; EN ISO 20345:2022
Категорія безпеки:
S1 FO SR
Колір:
сіро-чорний
Матеріал:
замша
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В