Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,4А; Idm: 37А; 33Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: SIHA21N80AEF-GE3
150,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHA21N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 4,4А
Струм стоку в імпульсі: 37А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO + SPST-NC; G6C
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO + SPST-NC; G6C

603,78 грн

Зовнішні розміри:
20x15x10мм
Конструкція:
дві обмотки
Конфігурація контактів:
SPST-NO + SPST-NC
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7T; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7T; ±10%; SMD; 0805

3,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 107кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 107кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3,4; 0,6м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3,4; 0,6м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 4А; PUR

691,21 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 99А; Idm: 350А; 400Вт

1568,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
215нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

320,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
11нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 550В; 13А; Idm: 84А

382,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт

622,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 34А; Idm: 136А; 35Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 15А; Idm: 60А

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 7А; Idm: 21А; 95Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
42нКл