Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 48Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: TSM10N80CI C0G
293,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM10N80CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,05Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 5,7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: коаксіальний; коаксіальний; затискання; прямий; 50Ом
Роз’єм: коаксіальний; коаксіальний; затискання; прямий; 50Ом

84,90 грн

Connector family:
коаксіальний
Електричний монтаж:
затискання
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
коаксіальний
Недоступний
Tap: metric; M6; 1; L: 50mm; intermediate; Holder: square,hand; 4.9mm
Tap: metric; M6; 1; L: 50mm; intermediate; Holder: square,hand; 4.9mm

268,63 грн

Type of tap:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Відповідність стандарту:
DIN 352
Довжина:
50мм
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48
IC: пам'ять SRAM; 32МбSRAM; 2Mx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48

3212,12 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
32Мб SRAM
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

43,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 39; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 39; THT; 1.5A

757,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: цифровий; Ch: 1; CMOS; 900мВDC÷5,5ВDC; SMD; VSSOP8; -40÷125°C
IC: цифровий; Ch: 1; CMOS; 900мВDC÷5,5ВDC; SMD; VSSOP8; -40÷125°C

50,05 грн

Вид об'єднаної схеми:
2bit; 3-позиційний; двонаправлений; рація; транслятор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
1
Корпус:
VSSOP8
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 40А

1657,38 грн

Вид транзистора:
каскодний
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO247-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 17А; 103Вт; TO247

560,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 480Вт; TO220AB; 66нс

394,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
185нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; 250Вт; ISOPLUS247™

752,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO3P; 400нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 166Вт; ISOPLUS247™

598,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 27А; 481Вт; PLUS247™

1096,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
PLUS247™