1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт; TO220AB
Немає в наявності
Код товару: SIHP11N80E-GE3
216,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP11N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 440мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 7,41кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 7,41кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 91Ом; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 91Ом; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

19,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 23,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 23,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

462,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; TO3P

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO3P
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 480А

209,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB