Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: PSMB055N08NS1_R2_00601
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMB055N08NS1_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65,8нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113,6Вт
Струм стока: 108А
Струм стоку в імпульсі: 360А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Фільтр: SAW; f: 524,5МГц; 3,8x3,8мм; -40÷85°C; Смуга: 27МГц
Фільтр: SAW; f: 524,5МГц; 3,8x3,8мм; -40÷85°C; Смуга: 27МГц

136,21 грн

Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3,8x3,8мм
Смуга передачі:
27МГц
Тип фільтра:
SAW
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT23; 100мА
IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT23; 100мА

5,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±0,5%
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: metal film; 309кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 309кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

9,25 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,41 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
LED; бурштиновий; SMD; 1211; 2800÷5600мкд; 1,9÷2,35ВDC; 120°; 50мА
LED; бурштиновий; SMD; 1211; 2800÷5600мкд; 1,9÷2,35ВDC; 120°; 50мА

12,67 грн

Голівка:
плоске
Довжина хвилі λd:
612...624нм
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
бурштиновий
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.9mm; GKS-100; steel; 2N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 0.9mm; GKS-100; steel; 2N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,9мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK